Ofortas
1) Eikite į BSG
Silicio plokštelės plaunamos grandinės valymo mašinoje, plūduriuojant ant vandens (nugarinė pusė liestųsi su rūgšties tirpalu), kad pašalintų BSG iš galinės pusės. Pagrindinis rūgšties tirpalo komponentas yra 24,5% HF, o pagrindinė cheminės reakcijos lygtis apima:
HF+SiO2→SiF4+H2O
SiF4+HF→H2SiF6
Nuplovus vandeniu ir išdžiovinus vėjo peiliu, jis patenka į kitą procesą. BSG valymo mašinos įranga yra pusiau sandarus įtaisas, kurį sudaro rūgšties bakas, gryno vandens valymo bakas ir indukcinė traukos sistema, sukurianti mikro neigiamo slėgio aplinką įrangos viduje ir surinkti lakiąsias dujas.
Pagrindinę šio proceso taršą sudaro rūgštinės išmetamosios dujos (G4), turinčios HF, kurios surenkamos vamzdynais ir siunčiamos į rūgščių išmetamųjų dujų valymo bokštą valymui. Didelės koncentracijos rūgštinės nuotekos, kuriose yra vandenilio fluorido rūgšties (W10) ir bendros rūgštinės valymo nuotekos (W11).
2) Nugaros ofortas
Siekiant pagerinti silicio plokštelės galinės dalies atspindėjimą, silicio plokštelės nugarėlė yra poliruota šarmu ir poliravimo priemone.
Šarminio poliravimo sekciją (6 eilutės) sudaro tokie moduliai kaip išankstinis valymas, plovimas vandeniu, poliravimas šarmais * 2, valymas vandenilio peroksidu (rezervuotas), mikro aksomas (rezervuotas), valymas grynu vandeniu, valymas po valymo, valymas grynu vandeniu, plovimas rūgštimi * 2, plovimas grynu vandeniu po plovimo rūgštimi, lėtas traukimas išankstinis dehidratavimas, džiovinimas * 5 ir tt Visas atgalinio ėsdinimo procesas atliekamas automatiškai, naudojant perdavimo rankenėlę, kad būtų išsiųstas iš anksto išvalytas silicio plokšteles į šarminio poliravimo mašinos padavimo zoną. Silicio plokštelės praeina per įvairias korozijos ir valymo talpas automatinėje uždaroje šarminio poliravimo mašinoje per volelius. Įranga automatiškai valdo rūgšties, šarmų tirpalo ir gryno vandens papildymą kiekviename modulyje. Talpykloje esantis rūgšties ir šarmo tirpalas įpumpuojamas vamzdynais, o rezervuare esančios nuotekos reguliariai išleidžiamos.
3) Išankstinis valymas
Po apdorojimo silicio plokštelė patenka į valymo baką, kad pašalintų organinių medžiagų likučius ir užtikrintų silicio plokštelės paviršiaus švarumą, taip tam tikru mastu pagerinant baterijos konversijos efektyvumą. Panardinkite įdėtas silicio plokšteles į išankstinį valymą, į baką įpilkite gryno vandens ir įpilkite atitinkamą kiekį NaOH tirpalo arba valymo tirpalo (tikėtina, kad NaOH koncentracija bus {{0}},39%, H2O2 koncentracija yra lygi). tikimasi 0,61 %) pagal santykį valant aukštoje temperatūroje (60 laipsnių). Po išankstinio valymo atlikite valymą grynu vandeniu. Valymas grynu vandeniu – tai visas valymas panardinant per perpildymą, atliekamas kambario temperatūroje 100 sekundžių.
4) Šarminis poliravimas ir plovimas
Šarminio poliravimo bake yra grynas vanduo, pridedamas atitinkamas kiekis NaOH tirpalo ir poliravimo priedų (NaOH tirpalas yra apie 1,6%, poliravimo priemonės koncentracija 0,97%). Tada silicio plokštelės galinis paviršius poliruojamas 65 laipsnių darbinėje temperatūroje. Prieš skalaujant grynu vandeniu, nuplaukite šarmu. Cheminės reakcijos, vykstančios šarmų išmetimo proceso metu, yra šios:
Si+2NaOH H2O=Na2SiO3+2H2↑
Šarminio plovimo bako darbinė temperatūra yra 65 laipsniai, o šarminio plovimo laikas kontroliuojamas 220 sekundžių.
5) Po valymo ir mikro aksomo gamyba
Į baką įpilkite gryno vandens ir įpilkite atitinkamus NaOH tirpalo bei vandenilio peroksido kiekius (NaOH tirpalas apie {{0}},55%, vandenilio peroksido koncentracija 0,25%), atsižvelgdami į kambario temperatūros valymo santykį. Po valymo atlikite valymą grynu vandeniu.
Mikro aksomo proceso metu vykstančios cheminės reakcijos yra šios:
Si+2NaOH H2O=Na2SiO3+2H2↑
6) Rūgščių plovimas
Po valymo didelio grynumo valymui reikia naudoti praskiestą rūgšties tirpalą ({{0}},9 % HCl ir 0,23 % HF). HCl funkcija yra neutralizuoti likutinį NaOH, o HF funkcija yra pašalinti oksido sluoksnį nuo silicio plokštelės paviršiaus, todėl jis tampa hidrofobesnis ir susidaro silicio kompleksas H2SiF6. Kompleksuojant su metalo jonais, metalo jonai atsiskiria nuo silicio plokštelės paviršiaus, sumažinant metalo jonų kiekį ir ruošiant difuziniam ryšiui. Po plovimo rūgštimi nuvalykite švariu vandeniu.
Beicavimo proceso metu vykstančios cheminės reakcijos yra šios:
HCl NaOH=NaCl H2O
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
Beicavimo bako darbinė temperatūra yra kambario temperatūroje, o marinavimo laikas reguliuojamas 100 sekundžių.
7) Džiovinimas
Lėtai ištrauktą iš anksto dehidratuotą kristalinio silicio plokštelę perkelkite į džiovinimo baką ir elektriniu šildymu pūskite karštą orą 90 laipsnių aukštyn ir žemyn ant plokštelės, kad išdžiovintumėte.
Aukščiau minėtame atgalinio ėsdinimo procese, atliekant išankstinį valymą, poliravimą šarminiu būdu ir po valymo, susidaro didelės koncentracijos šarminės nuotekos, kuriose yra natrio hidroksido (W12, W14, W16) ir bendrosios šarminės valymo nuotekos (W13, W15, W17). Rūgščių plovimo procese susidaro didelės koncentracijos rūgštinės nuotekos, kuriose yra druskos rūgšties ir vandenilio fluorido rūgšties (W18) ir bendros rūgštinės valymo nuotekos (W19, W20). Aukščiau nurodyta operacija atliekama uždaroje šarmų mėtymo mašinoje. Rūgščių plovimo procesas išgaruos ir susidarys rūgštinės išmetamosios dujos (G5), turinčios HCl ir HF, kurios bus surenkamos vamzdynais ir siunčiamos į rūgščių išmetamųjų dujų plovimo bokštą apdoroti.
POPAID nusodinimo in situ dopingas
POPAID procesas yra pagrindinė plokščių dangų paruošimo technika, integruojant tunelinius oksido sluoksnius ir legiruoto kristalinio silicio sluoksnius.
Pirma, silicio plokštelė atmosferos sąlygomis patenka į pakrovimo kamerą, transportuojama į 300 laipsnių pakaitinimo kamerą, o tada patenka į PO proceso kamerą. Šiuo metu O2 per trachėją transportuojamas į dujų atskyrimo bloką ir aktyvuojamas RF maitinimo šaltiniu, kad jonizuotų. Silicio plokštelės paviršiuje jonai oksiduojasi, sudarydami tunelinį oksido sluoksnį; Tada silicio plokštelė praeina per perėjimo ir buferio kamerą ir perkeliama į mokamą kamerą. Mokamas šaltinis nusodina tam tikro storio amorfinį silicį ant galinės pagrindo pusės, o nusodinimo proceso metu įvedamos PH3 dujos. Dujinis fosfinas patenka į mašiną ir yra sužadinamas į fosforo jonų būseną 10 kev ir 0.{5}} kev aukštos įtampos radijo dažniu. Tarp jonų šaltinio ir žemės pridedama nuolatinė aukšta įtampa, kad fosforo jonai gautų energiją per aukštos įtampos elektrinį lauką. Sijos plotis yra 420 mm, o tada silicio plokštelė perkeliama į sijos apačią. Mokamo šaltinio atomams skraidant link substrato, jie neša P jonus arba reaguoja su P jonais, kad būtų pasiektas in situ fosforo dopingas.
Pagrindinė reakcijos lygtis yra tokia: PO+PAID＝POPAID
Oksidacija plazmoje (PO): SiH4+O2 → SiO2
Plazmos pagalbinis in situ dopingas (MOKAMAS): Si (šaltinis) + PH3 → n-Si
Pasibaigus reakcijai, azotas išpučiamas ir jonas įpurškiamas į savarankišką adsorbentą, kurio apdorojimo efektyvumas yra iki 100%. Fosfino koncentracija prieš patenkant į adsorbcijos bokštą yra 179,05 ppm, o po adsorbcijos PH3 neaptikta. Šiuo projektu planuojama šias išmetamąsias dujas prijungti prie DA003 išmetamųjų dujų bokšto, kad būtų galima jas apdoroti, o tada jas išleisti. Kartu įmonė planuoja įrengti automatinę fosforo nuotėkio signalizaciją, kurios aptikimo riba yra 0,1mg/m3.
Taršos gamybos procesų analizė: Pagrindiniai taršos procesai šiame procese yra proceso metu patekę Ar, PH3 ir N2, kurie surenkami tam skirtais vamzdžiais ir siunčiami į rūgščių išmetamųjų dujų valymo bokštą apdoroti.